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공정 시간에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 산화물 박막 트랜지스터

분야: 기계

공정 시간에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 산화물 박막 트랜지스터
보유기관 및 연구자 : 충북대학교 김성진 교수

개발상태: 4/9

기술소개서 추가 기술 정보 시장자료 특허구매 서식

기술완성도

TRL09

사업화

본격적인 양산 및 사업화 단계

TRL08

시작품 인증/
표준화

일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
- 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등

TRL07

Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가

시작품의 신뢰성 평가
실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계

TRL06

Pilot 단계 시작품
성능 평가

경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
시작품 성능평가

TRL05

시제품 제작/
성능평가

개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발

TRL04

연구실 규모의
부품/시스템 성능평가

연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
실용화를 위한 핵심요소기술 확보

TRL03

연구실 규모의
성능 검증

연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
모델링/설계기술 확보

TRL02

실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립

실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립

TRL01

기초 이론/
실험

연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

특허정보

공정 시간에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 산화물 박막 트랜지스터 (No : 10-2364105)
파워에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 산화물 박막 트랜지스터 (No : 10-2299641)
펨토초 레이저 표면처리에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 및 제조방법에 의해 제조된 산화물 박막 트랜지스터 (No : 10-2299658)
가스 유량에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 산화물 박막 트랜지스터 (No : 10-2297581)

거래 조건 :: 추후 협의

상담신청 기술문의

기술개요

- 최적의 공정 시간 및 전압, 가스 유량으로 산화물의 채널층 표면을 산소 플라즈마 표면 처리하여 산화물 채널층을 제조할 수 있는 기술
- 단기간 전류 유지 안정성이 향상되어 전기적 및 환경적 안정성이 향상된 산화물 박막 트랜지스터 제공

기술개발배경

- 박막 트랜지스터는 디스플레이에 표시되는 신호 처리량과 연관이 있어 디스플레이 화질을 결정하는 중요 요인
ㆍ (비정질 실리콘 박막 트랜지스터) 전자 이동도가 매우 낮아 정보 처리 속도가 느림
ㆍ (다결정 실리콘 박막 트랜지스터) 균일한 특성 확보가 어려워 공정이 복잡하며, 대형화에 적합하지 않음
- 산화물질을 채널층으로 사용하는 산화물 박막 트랜지스터의 개발이 활발하게 진행 중

기술의 특장점 및 차별성

- 산소 가스를 이용한 플라즈마 표면처리를 통해 박막 트랜지스터의 전기적, 표면적 및 광학적 성능 향상 가능
- 최적의 공정 시간으로 표면 에너지 증대 가능
- 채널층 내부의 산소 공공을 조절하여 자유 전자의 농도를 유지함으로써 RMS를 감소시켜 전류 효율을 향상
- 산소 농도를 자유롭게 조정하여 채널 전도도를 높임

적용 분야

시장 전망

- (국내) 국내 박막트랜지스터-LCD 생산능력은 2023년 83,417, 000㎡에서 2029년 83,918,000㎡ 으로 증가할 전망(CAGR 0.1%)
- (해외) 글로벌 박막트랜지스터 시장은 2023년 2.7억달러에서 2029년 7.2억달러로 증가할 전망(CAGR 17.34%)