기술개요
- 저항 변화형 메모리, 비휘발성 메모리, 차세대 메모리, 멤리스터, 용액 공정을 이용한 다층 채널 구조 IZO 박막 제작에 이용
- 전기적, 환경적 안정성이 높은 산화물 반도체의 산화물층 제조 장치 및 방법 관한 것
기술개발현황
- 산화물 반도체는 우수한 이동도를 보여 고화질 액정표시장치(LCD)와 능동유기발광다이오드(AMOLED)에 적합
- 액상기반 공정을 이용한 산화물 반도체 제조 기술은 진공 증착 방법에 비해서 비용이 저렴
- 기존 메모리 구조에서 캐리어 역할인 TiO₂-x는 산소 공공 간 제네레이션/리콤비네이션 발생
- 캐리어 트랩, 온오프 비감소, 전자 이동도 저하로 메모리 특성이 열화되는 문제점 존재
- 산화물 층의 경우 비용이 높고 표면상의 결함 문제점 존재
기술의 차별성 및 우수성
- 산화물층에 IGZO를 사용한 산화물 반도체 제작으로 전기적 특성 향상 효과
- IGZO의 전자이동은 비정질 상태에서도 빠른 전자 이동도를 가지며 메모리의 우수한 저항 스위칭 특성 구현 가능
- 종래 기술이었던 TiO2-x의 단점 개선한 저항 변화형 메모리 재료로 사용 가능
시장동향
- OLED 디스플레이 비중 전망은 2018년 20.5%에서 2025년 44.3%까지 확대될 것으로 예상
- 중국은 2015년 0.5%에 그쳤던 OLED 시장 점유율을 2018년 3.2%, 2019년 9.8%를 거쳐 2020년 13.2%까지 상승
